Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Реферативна база даних (19)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Rubish V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 17 Представлено документи з 1 до 17
1.	Shpak A. P. Optical properties and local structure of (As2S3)100-x(SbSI)x glasses [Електронний ресурс] / A. P. Shpak, V. M. Rubish, O. A. Mykaylo, D. I. Kaynts, O. G. Guranich, R. R. Rosul // Ukrainian journal of physical optics. - 2010. - Vol. 11, № 2. - С. 107-115. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UJPO_2010_11_2_6 Попередній перегляд: Завантажити - 296.885 Kb Зміст випуску Цитування
2.	Rubish V. V. Baryon mass spectra with QCD-type screened potential [Електронний ресурс] / V. V. Rubish // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 1998. - Вип. 2. - С. 10-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_1998_2_4 Попередній перегляд: Завантажити - 174.316 Kb Зміст випуску Цитування
3.	Lengyel V. I. Configuration interaction method for describing spin-orbital effects in the quark-antiquark systems [Електронний ресурс] / V. I. Lengyel, V. V. Rubish, S. Chalupk, M. Salak // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 1999. - Вип. 4. - С. 55-59. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_1999_4_13 Попередній перегляд: Завантажити - 324.409 Kb Зміст випуску Цитування
4.	Lazur V. YU. Relativistic Quark Model of D-, DS -, B- and BS -mesons [Електронний ресурс] / V. YU. Lazur, О. К. Reity, V. V. Rubish // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2008. - Вип. 22. - С. 87-95. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2008_22_18 Попередній перегляд: Завантажити - 226.318 Kb Зміст випуску Цитування
5.	Rubish V. M. Crystallization study of (As2S3)100-x(SbSI)x amorphous filmsby the optical method [Електронний ресурс] / V. M. Rubish, O. V. Kozusenok, P. P. Shtets, V. M. Marjan, E. V. Gera, A. A. Tarnaj // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 3. - С. 294-297. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_3_21 Попередній перегляд: Завантажити - 1.425 Mb Зміст випуску Цитування
6.	Rosul R. R. Dielectric properties of TlIn(S1-xSex)2 polycrystals near phase transitions [Електронний ресурс] / R. R. Rosul, P. P. Guranich, O. O. Gomonnai, A. G. Slivka, M. Yu. Rigan, V. M. Rubish, O. G. Guranich, A. V. Gomonnai // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 35-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_10 Попередній перегляд: Завантажити - 219.288 Kb Зміст випуску Цитування
7.	Rubish V. M. The influence of obtaining and heat treatment conditions on the structure of As2S3-SbSI system [Електронний ресурс] / V. M. Rubish, L. Bih, O. A. Mykaylo, O. V. Gorina, V. M. Maryan, S. M. Gasinets, A. M. Solomon, P. Lazor, S. O. Kostyukevych // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 2. - С. 123-127. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_2_6 (As2S3)100-x(SbSI)x (x = 80 and 90) glasses were prepared by cooling homogenized melts from 720 - 750 К in cold water. Their structure and structural changes under heat treatment of glasses are confirmed by studies of micro-Raman scattering and X-ray diffraction. In the matrix of these glasses, we observed SbSI nanocrystalline inclusions. It has been shown that the sizes of crystalline inclusions are dependent on the heat treatment regimes. Попередній перегляд: Завантажити - 1.667 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
8.	Rubish V. M. Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films [Електронний ресурс] / V. M. Rubish, E. V. Gera, M. O. Durcot, M. M. Pop, S. O. Kostyukevich, A. A. Kudryavtsev, O. S. Mykulanynets-Meshko, M. Yu. Rigan // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 349-353. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_8 The optical transmissions spectra of amorphous Ge-S-Se films of chemical compositions (GeS2)50(GeSe2)50 and (GeS3)50(GeSe3)50, prepared by thermal evaporation, have been measured over the whole 400 to 800 nm spectral range. It has been ascertained that annealing of the films leads to the absorption edge shift into the short-wave spectral region. The values of pseudo-gap width Eg and film refraction index n have been determined. Changes in optical properties of films are caused by structural transformations taking place in them under laser illumination and annealing. Попередній перегляд: Завантажити - 1.127 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
9.	Trunov M. L. Light-induced transport in amorphous chalcogenides/gold nanoparticles composites [Електронний ресурс] / M. L. Trunov, P. M. Lytvyn, P. M. Nagy, O. S. Oberemok, M. O. Durcot, A. A. Tarnai, I. V. Prokopenko, V. M. Rubish // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 351-361. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_9 Попередній перегляд: Завантажити - 1.17 Mb Зміст випуску Цитування
10.	Rubish V. M. Raman spectroscopy and X-ray diffraction studies of (GeS2)100-x(SbSI)x glasses and composites on their basis [Електронний ресурс] / V. M. Rubish, V. O. Stefanovich, V. M. Maryan, O. A. Mykaylo, P. P. Shtets, D. I. Kaynts, I. M. Yurkin // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 61-66. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_14 The structure and structural changes under the isothermal annealing of (GeS2)100-x(SbSI)x (<$E 0~symbol Г~x~symbol Г~90>) glasses were investigated by Raman spectroscopy and X-ray diffraction methods. The nanoheterogeneous nature of these glasses structure has been revealed. The matrix of (GeS2)100-x(SbSI)x glasses is basically built just of binary GeS4, SbS3 and SbI3 structural groups and contains a small amount of molecular fragments with homopolar Ge - Ge and S - bonds. The phase structure arising in the glass matrix at crystallization corresponds to the structure of crystalline SbSI. Попередній перегляд: Завантажити - 1.76 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
11.	Kryuchyn A. A. High-speed optical recording in vitreous chalcogenide thin films [Електронний ресурс] / A. A. Kryuchyn, V. V. Petrov, V. M. Rubish, A. S. Lapchuk, S. O. Kostyukevych, P. E. Shepeliavyi // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 4. - С. 389-393. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_4_16 Thin films of glassy chalcogenide semiconductor are widely used as recording media in optical data storage. To obtain relief micro- and nanoscale structures on the surface of optical master discs inorganic photoresists based on chalcogenide glassy semiconductors can be used. They have high resolution and allow for exposure by short laser pulses. Implementation of such exposure is promoted by increasing the speed of photostructural transformations at high powers of exposing radiation. This increase in the sensitivity is associated with both local heating by illumination and a high density of excited electron-hole pairs. The exposure mode of the inorganic photoresists based on glassy chalcogenide semiconductor pulses of 10<^>-8 - 10<^>-9 s is close to the threshold of local photothermal destruction. Significant impact on the value of the threshold of photothermal destruction effects the choice of the substrate material which determines the rate of heat removal from the irradiation area. Moreover, one also needs to consider the effect of pulsed annealing of the inorganic photoresist material on the process of selective etching. We have established an inversion of the selective etching of the inorganic negative photoresist based on As2S3 in the center of the irradiated zone. The diameter of this zone is about 20 % of the diameter of exposing beam. After the selective etching in alkaline solution in the center of protrusions being formed on the substrate, there observed are some dimples with the depth of 30 - 50 nm. Prior to the processing of irradiated inorganic photoresist by the selective etching these dimples were absent and their appearance is not due to possible local material evaporation of the inorganic photoresist. A possible reason for the inversion of solubility of the inorganic photoresist could be pulsed annealing in the recording process. Попередній перегляд: Завантажити - 2.51 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
12.	Azhniuk Yu. M. Annealing-induced formation of Sn2P2S6 crystallites in As2S3-based glass matrix [Електронний ресурс] / Yu. M. Azhniuk, A. V. Gomonnai, O. O. Gomonnai, S. M. Hasynets, F. Kovac, V. V. Lopushansky, I. Petryshynets, V. M. Rubish, D. R. T. Zahn // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 3. - С. 248-254. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_3_4 Попередній перегляд: Завантажити - 537.243 Kb Зміст випуску Цитування
13.	Rubish V. M. Laser-induced changes in the optical characteristics of amorphous films of the As-Sb-S system [Електронний ресурс] / V. M. Rubish, M. M. Pop, O. A. Mykaylo, A. A. Kryuchyn, V. M. Maryan, M. O. Durkot, T. I. Yasinko, S. O. Kostyukevich, K. V. Kostyukevich // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія : Фізика. - 2017. - Вип. 42. - С. 14 - 26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2017_42_4 Попередній перегляд: Завантажити - 618.745 Kb Зміст випуску Цитування
14.	Lazur V. Yu. Matrix elements of the dipole-dipole interaction between two two-level atoms distanced arbitrarily from each other [Електронний ресурс] / V. Yu. Lazur, S. I. Myhalyna, O. K. Reity, V. V. Rubish, M. I. Karbovanets // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія : Фізика. - 2019. - Вип. 45. - С. 73-84. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2019_45_10 Попередній перегляд: Завантажити - 125.785 Kb Зміст випуску Цитування
15.	Lengyel V. Incorporating relativistic kinematics for the description of light quark systems [Електронний ресурс] / V. Lengyel, V. Rubish, Yu. Fekete, S. Chalupka, M. Salak // Журнал фізичних досліджень. - 1998. - Т. 2, Число 1. - С. 38-44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_1998_2_1_9 Попередній перегляд: Завантажити - 217.329 Kb Зміст випуску Цитування
16.	Rubish V. M. Crystallization parameters of non-crystalline antimony chalcogenides [Електронний ресурс] / V. M. Rubish, M. V. Dobosh, P. P. Shtets, I. I. Shpak, V. V. Rubish, I. M. Yurkin, D. G. Semak, V. I. Fedelesh // Журнал фізичних досліджень. - 2004. - Т. 8, Число 2. - С. 178-182. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2004_8_2_10 Попередній перегляд: Завантажити - 311.374 Kb Зміст випуску Цитування
17.	Petrov V. V. Direct laser writing of microrelief structures on chalcogenide glass by laser beam recorder of master discs [Електронний ресурс] / V. V. Petrov, A. A. Kryuchyn, S. O. Kostyukevych, V. M. Rubish // Реєстрація, зберігання і обробка даних. - 2020. - Т. 22, № 1. - С. 3–11. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rzod_2020_22_1_3 Проаналізовано методи створення мікрорельєфних фазових елементів (МРФЕ) для дифракційної оптики й офтальмології. Показано, що прямий лазерний запис на станції лазерного запису дісків-оригіналів є ефективним методом формування плоских мікрорельєфних елементів на тонких плівках халькогенідних напівпровідників, в яких під дією лазерного випромінювання відбуваються фотоструктурні перетворення. Прямий лазерний запис надає можливість не тільки здійснювати запис даних на оптичні диски, а також виготовити широкий спектр МРФЕ. Плоскі дифракційні оптичні елементи не тільки покращують характеристики стандартних дзеркально-лінзових систем, але можуть бути використані для створення унікальних приладів для офтальмології. Реально створити штучне око на основі плоских суперлінз з адаптивним електричним керуванням за основними параметрами. Технологія прямого лазерного запису мікрооптичних елементів вимагає створення точних систем обертання підкладки з фоточутливим шаром, здійснення запису доріжок різної ширини на визначеній відстані лазерним випромінюванням із визначеною потужністю запису. Попередній перегляд: Завантажити - 308.11 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського